NTJS3151PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTJS3151PT1G
Código: TJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G Datasheet (PDF)
ntjs3151p ntjs3151pt1g ntjs3151pt2.pdf
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ntjs3151p nvjs3151p.pdf
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ntjs3157n ntjs3157nt1g ntjs3157nt2 ntjs3157nt4.pdf
NTJS3157NTrench Power MOSFET20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Fast Switching for Increased Circuit Efficiency SC-88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-645 mW @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available4.0
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Liste
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