NTK3043NAT5G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTK3043NAT5G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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NTK3043NAT5G datasheet

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NTK3043NAT5G

NTK3043N Power MOSFET 20 V, 285 mA, N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features http //onsemi.com Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment 1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

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NTK3043NAT5G

NTK3043N Power MOSFET 20 V, 285 mA, N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features http //onsemi.com Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment 1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

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NTK3043NAT5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET 20 V, 285 mA, P-Channel with ESD Protection, SOT-723 LNTK3043PT5G Features S-LNTK3043PT5G Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment 1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

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