NTLJD3119CTAG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTLJD3119CTAG  📄📄 

Código: JD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.7 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: WDFN6

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NTLJD3119CTAG datasheet

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NTLJD3119CTAG

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NTLJD3119CTAG

NTLJD3115P Power MOSFET -20 V, -4.1 A, mCoolt Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package 100 mW @ -4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive

 7.1. Size:128K  onsemi
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NTLJD3119CTAG

NTLJD3182FZ Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.0 A, mCoolt Single P-Channel & Schottky Barrier Diode, ESD Features WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellent http //onsemi.com Thermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package P-CHANNEL MOSFET Footprint Same as SC-88 Package V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Low Profile (

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