NTLUD3A260PZTAG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTLUD3A260PZTAG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: UDFN6

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NTLUD3A260PZTAG datasheet

 0.1. Size:120K  onsemi
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NTLUD3A260PZTAG

NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

 2.1. Size:123K  onsemi
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NTLUD3A260PZTAG

NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

 7.1. Size:123K  onsemi
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NTLUD3A260PZTAG

NTLUD3A50PZ Power MOSFET -20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 50 mW @ -4.5 V

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