NTLUD3A50PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTLUD3A50PZ
   Código: AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTLUD3A50PZ

NTLUD3A50PZ Datasheet (PDF)

..1. Size:123K onsemi
ntlud3a50pz.pdf

NTLUD3A50PZPower MOSFET-20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel,2.0x2.0x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS50 mW @ -4.5 V

7.1. Size:123K onsemi
ntlud3a260pz.pdf

NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

7.2. Size:120K onsemi
ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf

8.1. Size:141K onsemi
ntlud3191pz.pdf

NTLUD3191PZPower MOSFET-20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th

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