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NTLUS3A18PZTCG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLUS3A18PZTCG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6
 

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NTLUS3A18PZTCG Datasheet (PDF)

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NTLUS3A18PZTCG

NTLUS3A18PZPower MOSFET-20 V, -8.2 A, Single P-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent ThermalConduction http://onsemi.com Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space SavingMOSFET Ultra Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Diode-Protected Gate18 mW @ -4.5 V These Devices are Pb-Fre

 3.1. Size:222K  onsemi
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NTLUS3A18PZTCG

NTLUS3A18PZMOSFET Power, Single,P-Channel, UDFN,2.0x2.0x0.55 mm-20 V, -8.2 Awww.onsemi.comFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent ThermalMOSFETConductionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving18 mW @ -4.5 V Ultra Low RDS(on)25 mW @ -2.5 V-20 V -8.2 A ESD Diode-Protected Gate50 mW @

 7.1. Size:127K  onsemi
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NTLUS3A18PZTCG

NTLUS3A39PZPower MOSFET-20 V, -5.2 A, Single P-Channel, ESD,1.6x1.6x0.55 mm UDFN mCoolt PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving MOSFET Ultra Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

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NTLUS3A18PZTCG

NTLUS3A40PZPower MOSFET-20 V, -9.4 A, mCoolt Single P-Channel,ESD, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Lowest RDS(on) in 2.0x2.0 Package ESD Protected 29 mW @ -4.5 V These Devices

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History: N2500N | DH850N10I

 

 
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