NTLUS3A39PZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTLUS3A39PZ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Encapsulados: UDFN6
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NTLUS3A39PZ datasheet
ntlus3a39pztbg ntlus3a39pz ntlus3a39pztag.pdf
NTLUS3A39PZ Power MOSFET -20 V, -5.2 A, Single P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN mCoolt Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving MOSFET Ultra Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
ntlus3a40pztag ntlus3a40pztbg.pdf
NTLUS3A40PZ Power MOSFET -20 V, -9.4 A, mCoolt Single P-Channel, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Lowest RDS(on) in 2.0x2.0 Package ESD Protected 29 mW @ -4.5 V These Devices
ntlus3a90pz.pdf
NTLUS3A90PZ Power MOSFET -20 V, -5.0 A, mCoolt Single P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Lowest RDS(on) in 1.6x1.6 Package ESD Protected 62 mW @ -4.5 V These Devices
ntlus3a18pztbg ntlus3a18pztcg ntlus3a18pz ntlus3a18pztag.pdf
NTLUS3A18PZ Power MOSFET -20 V, -8.2 A, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal Conduction http //onsemi.com Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving MOSFET Ultra Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Diode-Protected Gate 18 mW @ -4.5 V These Devices are Pb-Fre
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