NTLUS4C16N Todos los transistores

 

NTLUS4C16N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLUS4C16N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0114 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6
 

 Búsqueda de reemplazo de NTLUS4C16N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTLUS4C16N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  onsemi
ntlus4c16n.pdf pdf_icon

NTLUS4C16N

NTLUS4C16NProduct PreviewPower MOSFET30 V, 11.7 A, Single N-Channel,1.6x1.6x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures www.onsemi.com UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent ThermalMOSFETConductionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving11.4 mW @ 10 V Ultra Low RDS(on)13.3 mW @ 4.5 V These Devices are Pb

 6.1. Size:79K  onsemi
ntlus4c12n.pdf pdf_icon

NTLUS4C16N

NTLUS4C12NPower MOSFET30 V, 10.7 A, Single N-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving withwww.onsemi.comExposed Drain Pads for Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Reduce Conduction LossesMOSFET Optimized Gate Charge to Reduce Switching LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low C

 8.1. Size:115K  onsemi
ntlus4930n.pdf pdf_icon

NTLUS4C16N

NTLUS4930NPower MOSFET30 V, 6.1 A, Single N-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving MOSFET Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses3

 9.1. Size:127K  onsemi
ntlus3a39pztbg ntlus3a39pz ntlus3a39pztag.pdf pdf_icon

NTLUS4C16N

NTLUS3A39PZPower MOSFET-20 V, -5.2 A, Single P-Channel, ESD,1.6x1.6x0.55 mm UDFN mCoolt PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving MOSFET Ultra Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Otros transistores... NTLUS3A39PZTBG , NTLUS3A40PZTAG , NTLUS3A40PZTBG , NTLUS3A90PZTAG , NTLUS3A90PZTBG , NTLUS3C18PZ , NTLUS4930N , NTLUS4C12N , RFP50N06 , NTMD4184PFR2G , NTMD4884NFR2G , NTMD4N03 , NTMD5836NLR2G , NTMD6N03R2G , NTMD6P02R2G , NTMFD4901NF , NTMFD4902NF .

History: SUD40N08-16 | AUIRFZ24NS | IRFTS8342PBF | SSM3K121TU | NCE85H25T | RJK1212DPA | IPP65R280E6

 

 
Back to Top

 


 
.