SDF21N60GAF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF21N60GAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
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SDF21N60GAF Datasheet (PDF)
Otros transistores... SDF1NA60JAA , SDF1NA60JAB , SDF1NA60JDA , SDF200NA10HE , SDF20N60JEA , SDF20N60JEB , SDF20N60JEC , SDF20N60JED , P60NF06 , SDF220 , SDF230JAA , SDF230JAB , SDF230JDA , SDF240 , SDF24N50GAF , SDF250JAA , SDF250JAB .
History: SUM50N06-16L | OSG65R140H4SZF | SUM50P10-42 | 2SJ506 | TPCA8012-H | DMP1022UFDE | SPP20N65C3
History: SUM50N06-16L | OSG65R140H4SZF | SUM50P10-42 | 2SJ506 | TPCA8012-H | DMP1022UFDE | SPP20N65C3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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