NTMS4706NR2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMS4706NR2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMS4706NR2
NTMS4706NR2 Datasheet (PDF)
ntms4706n-d ntms4706nr2 ntms4706nr2g.pdf
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ntms4700n ntms4700nr2.pdf
NTMS4700NPower MOSFET30 V, 14.5 A, Single N-Channel, SO-8Features Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resistance and Low QG Optimized for High Side Control Applicationshttp://onsemi.com High Speed Switching Capability Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.0 mW @ 10 V30 V 14.5 A Notebook Computer Vcore Applications7.3
ntms4704n.pdf
NTMS4704NPower MOSFET30 V, 12.3 A, Single N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Standard SO-8 Single Package Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAXApplications7.5 mW @ 10 V Notebooks, Graphics Cards30 V 12.3 A Synchronous Rectification 10 mW @ 4.5 V High Side Switch DC-DC ConvertersN-Channe
ntms4705n ntms4705nr2g.pdf
NTMS4705NPower MOSFET30 V, 12 A, Single N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Standard SO-8 Single Package Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX(Note 1)Applications Notebooks, Graphics Cards8.0 mW @ 10 V30 V 12 A Synchronous Rectification10.5 mW @ 4.5 V High Side Switch DC-DC Converters
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