NTMS4706NR2G Todos los transistores

 

NTMS4706NR2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMS4706NR2G
   Código: 4706N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMS4706NR2G

 

NTMS4706NR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
ntms4706n-d ntms4706nr2 ntms4706nr2g.pdf

NTMS4706NR2G
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NTMS4706NPower MOSFET30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) Low Gate Charge Standard SO-8 Single Packagehttp://onsemi.com Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAXApplications(Note 1) Notebooks, Graphics Cards9.0 mW @ 10 V Synchronous Rectification30 V 10.3 A11.4 mW @ 4.5 V High Side Switch DC-DC Convert

 7.1. Size:170K  onsemi
ntms4700n ntms4700nr2.pdf

NTMS4706NR2G
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NTMS4700NPower MOSFET30 V, 14.5 A, Single N-Channel, SO-8Features Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resistance and Low QG Optimized for High Side Control Applicationshttp://onsemi.com High Speed Switching Capability Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.0 mW @ 10 V30 V 14.5 A Notebook Computer Vcore Applications7.3

 7.2. Size:171K  onsemi
ntms4704n.pdf

NTMS4706NR2G
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NTMS4704NPower MOSFET30 V, 12.3 A, Single N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Standard SO-8 Single Package Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAXApplications7.5 mW @ 10 V Notebooks, Graphics Cards30 V 12.3 A Synchronous Rectification 10 mW @ 4.5 V High Side Switch DC-DC ConvertersN-Channe

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ntms4705n ntms4705nr2g.pdf

NTMS4706NR2G
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NTMS4705NPower MOSFET30 V, 12 A, Single N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Standard SO-8 Single Package Pb-Free Package is AvailableV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX(Note 1)Applications Notebooks, Graphics Cards8.0 mW @ 10 V30 V 12 A Synchronous Rectification10.5 mW @ 4.5 V High Side Switch DC-DC Converters

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