NTNS3193NZ Todos los transistores

 

NTNS3193NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTNS3193NZ
   Código: A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.224 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: XLLGA3
 

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NTNS3193NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  onsemi
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NTNS3193NZ

NTNS3193NZSmall Signal MOSFET20 V, 224 mA, Single N-Channel, 0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 PackageFeatures Single N-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Ultra Small and Thin Package (0.62 x 0.62 x 0.4 mm)MOSFET Low RDS(on) Solution in 0.62 x 0.62 mm PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.5 V Gate Voltage Rating1.4 W @ 4.5 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free

 8.1. Size:115K  onsemi
 ntns3164nz.pdf pdf_icon

NTNS3193NZ

NTNS3164NZSmall Signal MOSFET20 V, 361 mA, Single N-Channel, SOT-883(XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm PackageFeatures http://onsemi.comhttp://onsemi.com Single N-Channel MOSFET Ultra Low Profile SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm forV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MaxExtremely Thin Environments Such as Portable Electronics0.7 W @ 4.5 V Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0

 9.1. Size:113K  onsemi
 ntns3a65pz.pdf pdf_icon

NTNS3193NZ

NTNS3A65PZSmall Signal MOSFET-20 V, -281 mA, Single P-Channel,SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mmPackagehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comFeatures Single P-Channel MOSFET Ultra Low Profile SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm forV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MaxExtremely Thin Environments Such as Portable Electronics1.3 W @ -4.5 V Low RDS(on) Solution in the Ultra Smal

 9.2. Size:107K  onsemi
 ntns3a91pz.pdf pdf_icon

NTNS3193NZ

NTNS3A91PZSmall Signal MOSFET-20 V, -223 mA, Single P-Channel,0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 PackageFeatures Single P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Ultra Small and Thin Package (0.62 x 0.62 x 0.4 mm)MOSFET Low RDS(on) Solution in 0.62 x 0.62 mm PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.5 V Gate Voltage Rating1.6 W @ -4.5 V These Devices are Pb-Free, Halogen Fr

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History: IPL60R210P6 | FDB3682

 

 
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