NTNS3A65PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTNS3A65PZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.155 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.281 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-883

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTNS3A65PZ

NTNS3A65PZ Datasheet (PDF)

..1. Size:113K onsemi
ntns3a65pz.pdf

NTNS3A65PZSmall Signal MOSFET-20 V, -281 mA, Single P-Channel,SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mmPackagehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comFeatures Single P-Channel MOSFET Ultra Low Profile SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm forV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MaxExtremely Thin Environments Such as Portable Electronics1.3 W @ -4.5 V Low RDS(on) Solution in the Ultra Smal

8.1. Size:107K onsemi
ntns3a91pz.pdf

NTNS3A91PZSmall Signal MOSFET-20 V, -223 mA, Single P-Channel,0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 PackageFeatures Single P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Ultra Small and Thin Package (0.62 x 0.62 x 0.4 mm)MOSFET Low RDS(on) Solution in 0.62 x 0.62 mm PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.5 V Gate Voltage Rating1.6 W @ -4.5 V These Devices are Pb-Free, Halogen Fr

9.1. Size:108K onsemi
ntns3193nz.pdf

NTNS3193NZSmall Signal MOSFET20 V, 224 mA, Single N-Channel, 0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 PackageFeatures Single N-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Ultra Small and Thin Package (0.62 x 0.62 x 0.4 mm)MOSFET Low RDS(on) Solution in 0.62 x 0.62 mm PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.5 V Gate Voltage Rating1.4 W @ 4.5 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free

9.2. Size:115K onsemi
ntns3164nz.pdf

NTNS3164NZSmall Signal MOSFET20 V, 361 mA, Single N-Channel, SOT-883(XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm PackageFeatures http://onsemi.comhttp://onsemi.com Single N-Channel MOSFET Ultra Low Profile SOT-883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm forV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MaxExtremely Thin Environments Such as Portable Electronics0.7 W @ 4.5 V Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0

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History: SMG2330N

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