NTP2955G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP2955G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 41 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.196 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP2955G
NTP2955G Datasheet (PDF)
ntp2955 ntp2955g.pdf
NTP2955Power MOSFET-60 V, -12 A, Single P-Channel, TO-220Features Low RDS(on)http://onsemi.com Rugged Performance Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Pb-Free Package is Available*-60 V 156 mW @ -10 V -12 AApplications IndustrialP-Channel AutomotiveD Power SuppliesMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Va
ntp2955g.pdf
NTP2955Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.062 at VGS = - 10 V - 20- 60 12.50.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load SwitchSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S
ntp2955.pdf
NTP2955MOSFET Power, Single,P-Channel, TO-220-60 V, -12 AFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) Rugged Performance V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Fast Switching-60 V 156 mW @ -10 V -12 A These are Pb-Free Devices*P-ChannelApplicationsD Industrial Automotive Power SuppliesGMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)SParameter Symb
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