NTP45N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP45N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 101 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP45N06
NTP45N06 Datasheet (PDF)
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NTP45N06, NTB45N06Power MOSFET45 Amps, 60 VoltsN-Channel TO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Higher Current Rating45 AMPERES, 60 VOLTS Lower RDS(on)RDS(on) = 26 mW Lower VDS(on) Lower CapacitancesN-Channel Lower
ntb45n06lg ntp45n06l ntp45n06l ntb45n06l.pdf
NTP45N06L, NTB45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel TO-220 andD2PAKhttp://onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge45 AMPERES, 60 VOLTScircuits.RDS(on) = 28 mWFeaturesN-Channel Higher Current RatingD Lower RDS(on) Lower VDS(on) Lower Capa
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