NTR0202PLT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTR0202PLT1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NTR0202PLT1 datasheet

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NTR0202PLT1

NTR0202PL Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package Features http //onsemi.com Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 W, VGS = -10 V V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX RDSon = 1.10 W, VGS = -4.5 V -20 V 550 mW @ -10 V -400 mA Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space Pb-Free Packages are Available P-Channel D A

 0.1. Size:867K  cn vbsemi
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NTR0202PLT1

NTR0202PLT1G www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

 5.1. Size:93K  onsemi
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NTR0202PLT1

NTR0202PL, NVTR0202PL Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package Features www.onsemi.com Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 W, VGS = -10 V V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX RDSon = 1.10 W, VGS = -4.5 V -20 V 550 mW @ -10 V -400 mA Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space NVT Prefix for Automotive and Other A

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