NTR3161NT1G Todos los transistores

 

NTR3161NT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTR3161NT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.82 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: NTR3161NT1G

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 ntr3161n ntr3161nt1g.pdf pdf_icon

NTR3161NT1G

NTR3161N Power MOSFET 20 V, 3.3 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low RDS(on) Low Gate Charge http //onsemi.com Low Threshold Voltage Halide-Free V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 50 mW @ 4.5 V 3.3 A Applications 20 V 63 mW @ 2.5 V 3.0 A DC-DC Conversion 87 mW @ 1.8 V 2.5 A Battery Management Load/Power Switch SIMPLIFIED SC

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NTR3161NT1G

NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A

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NTR3161NT1G

NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A

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