NTS4101PT1 Todos los transistores

 

NTS4101PT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTS4101PT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.329 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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Principales características: NTS4101PT1

 ..1. Size:96K  onsemi
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NTS4101PT1

NTS4101P Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http //onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm) 83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available -20 V 88 mW @ -3.6 V -1.37 A Applications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 0.1. Size:838K  cn vbsemi
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NTS4101PT1

NTS4101PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET 4.3 nC - 20 0.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.2. Size:2471K  cn tech public
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NTS4101PT1

TPNTS4 1 01 PT1 G P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering Information Part Number Qty per Reel Reel Size TPNTS4101PT1G 3000 7 D S G SOT-323 Absolute Maximum Ratings (TA=

 6.1. Size:100K  onsemi
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NTS4101PT1

NTS4101P Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http //onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm) 83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available -20 V 88 mW @ -3.6 V -1.37 A Applications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

Otros transistores... NTR4502PT1 , NTR4503NT1 , NTR5103N , NTR5105P , NTR5198NL , NTRV4101P , NTS2101PT1 , NTS4001NT1 , IRF1010E , NTS4172NT1G , NTS4173PT1G , NTS4409N , NTTD4401FR2 , NTTFS3A08PZ , NTTFS3A08PZTAG , NTTFS4821NTAG , NTTFS4823NTAG .

History: NTTFS3A08PZ

 

 
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