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NTS4172NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTS4172NT1G
   Código: TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.294 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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NTS4172NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
 nts4172n nts4172nt1g.pdf pdf_icon

NTS4172NT1G

NTS4172NPower MOSFET30 V, 1.7 A, Single N-Channel, SC-70Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltagehttp://onsemi.com Halide Free This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX93 mW @ 10 V 1.7 AApplications Low Side Load Switch30 V 100 mW @ 4.5 V 1.5 A DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)140 mW @ 2.5 V 1.0 A Optimized for

 8.1. Size:108K  onsemi
 nts4173pt1g.pdf pdf_icon

NTS4172NT1G

NTS4173PPower MOSFET-30 V, -1.3 A, Single P-Channel, SC-70Features -30 V BVds, Low RDS(on) in SC-70 Package Low Threshold Voltagehttp://onsemi.com Fast Switching Speed This is a Halide-Free DeviceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device150 mW @ -10 V -1.2 AApplications-30 V 200 mW @ -4.5 V -1.0 A Load Switch280 mW @ -2.5 V -0.9 A

 9.1. Size:100K  onsemi
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NTS4172NT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 9.2. Size:96K  onsemi
 nts4101pt1.pdf pdf_icon

NTS4172NT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

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History: IRF7309QPBF | SSFD3004 | SI6473DQ | IRFR214PBF | IPLU300N04S4-R8 | SI7386DP | SRT04N016L

 

 
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