NTS4409N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTS4409N
   Código: T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22.4 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTS4409N

NTS4409N Datasheet (PDF)

..1. Size:123K onsemi
nts4409n nvs4409n.pdf

NTS4409N, NVS4409NSmall Signal MOSFET25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SC-70/SOT-323Featureshttp://onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25

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