HY1707P Todos los transistores

 

HY1707P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1707P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FB-3L
 

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HY1707P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:6931K  hymexa
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HY1707P

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 70V/80A,RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10VS Avalanche Rated DSD GGS Reliable and Rugged S DDGGTO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGS D SDGGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-220MF-3LD Power Man

 9.1. Size:224K  1
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HY1707P

HY1708MF-VBwww.VBsemi.comDisclaimerAll products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications anddata are subject to change without notice.Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or theirrepresentatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er

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