HY1707PS Todos los transistores

 

HY1707PS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1707PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PS-3L
 

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Principales características: HY1707PS

 8.1. Size:6931K  hymexa
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HY1707PS

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features 70V/80A, RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G S Reliable and Rugged S D D G G TO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D S D G G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-220MF-3L D Power Man

 9.1. Size:224K  1
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HY1707PS

HY1708MF-VB www.VBsemi.com Disclaimer All products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications and data are subject to change without notice. Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or their representatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er

Otros transistores... FNK30H150 , GPT09N50 , GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , IRFZ44N , HY1707PM , LTP70N06 , ME7170-G , TP0610T , WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 .

History: RUH40E12C

 

 
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