9N25A Todos los transistores

 

9N25A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 9N25A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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9N25A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  nell
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9N25A

RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8.8A, 250Volts)DESCRIPTIOND The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed tominimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energypulse in the avalanche and commut

Otros transistores... 7N90A , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , EMB04N03H , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , AMA410N , AMA420N , AMA421P , AMA423P .

 

 
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