9N25A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9N25A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de 9N25A MOSFET
9N25A Datasheet (PDF)
9n25a 9n25af.pdf
RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8.8A, 250Volts)DESCRIPTIOND The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed tominimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energypulse in the avalanche and commut
Otros transistores... 7N90A , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , AON7403 , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , AMA410N , AMA420N , AMA421P , AMA423P .
History: BLP05N08G-Q | BLP075N10G-P | BLP023N10-P | BLP065N08GL-Q | BLP02N06-Q | BLS60R150-P
History: BLP05N08G-Q | BLP075N10G-P | BLP023N10-P | BLP065N08GL-Q | BLP02N06-Q | BLS60R150-P
Liste
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