9N25A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 9N25A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 9N25A

9N25A Datasheet (PDF)

..1. Size:423K nell
9n25a 9n25af.pdf

RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8.8A, 250Volts)DESCRIPTIOND The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed tominimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energypulse in the avalanche and commut

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Liste

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