AMA420N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA420N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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AMA420N datasheet

 ..1. Size:322K  analog power
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AMA420N

Analog Power AMA420N N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9 @ VGS = 4.5V 15.0 Low thermal impedance 20 11 @ VGS = 2.5V 13.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:329K  analog power
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AMA420N

Analog Power AMA421P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 26 @ VGS = -4.5V -8.8 Low thermal impedance -20 34 @ VGS = -2.5V -7.7 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS

 9.2. Size:336K  analog power
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AMA420N

Analog Power AMA423P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 42 @ VGS = -4.5V -6.6 Low thermal impedance -20 57 @ VGS = -2.5V -5.7 2mm x 2mm footprint DFN package 86 @ VGS = -1.8V -1 RDS rated at 1.8V Gate-drive DFN2x2-8 Typical Applications Battery Powered Instruments Portable

Otros transistores... MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N, AO4407A, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P, AMA440N, AMA450N, AMA460N, AMA461P