AMA430N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMA430N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMA430N

AMA430N Datasheet (PDF)

..1. Size:343K analog power
ama430n.pdf

Analog Power AMA430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)10.5 @ VGS = 10V14 Low thermal impedance 3018 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTH

9.1. Size:329K analog power
ama433p.pdf

Analog Power AMA433PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)24 @ VGS = -10V -9.4 Low thermal impedance -3037 @ VGS = -4.5V -7.6 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS

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Liste

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