AMA433P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMA433P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2
Búsqueda de reemplazo de AMA433P MOSFET
AMA433P Datasheet (PDF)
ama433p.pdf
Analog Power AMA433PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)24 @ VGS = -10V -9.4 Low thermal impedance -3037 @ VGS = -4.5V -7.6 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS
ama430n.pdf
Analog Power AMA430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)10.5 @ VGS = 10V14 Low thermal impedance 3018 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTH
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History: 2N60G-E-K08-5060-R | 25N10G-TF3-T | BLP12N10G-U | 25N10G-TF2-T | 2N60G-TM3-T | IPB60R099P7 | IPB065N10N3G
History: 2N60G-E-K08-5060-R | 25N10G-TF3-T | BLP12N10G-U | 25N10G-TF2-T | 2N60G-TM3-T | IPB60R099P7 | IPB065N10N3G
Liste
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