AMD540CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMD540CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 12 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMD540CE

AMD540CE Datasheet (PDF)

..1. Size:364K analog power
amd540ce.pdf

Analog Power AMD540CEP & N-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 46 @ V = 4.5V 28GSdissipation. Typical applications are DC-DC 40converters and power management in portable and 36 @ V = 10V 33GSb

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: