AMD540CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMD540CE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AMD540CE MOSFET
AMD540CE Datasheet (PDF)
amd540ce.pdf

Analog Power AMD540CEP & N-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 46 @ V = 4.5V 28GSdissipation. Typical applications are DC-DC 40converters and power management in portable and 36 @ V = 10V 33GSb
Otros transistores... AMCC924NE , AMD510C , AMD530C , AMD531C , AMD532C , AMD533CE , AMD534C , AMD534CE , AON7408 , AMF920NE , AMF922NE , AMF924NE , AMR430N , AMR432N , AMR434N , AMR460N , AMR490N .
History: SIS782DN | PE5G6EA | KMB6D0DN30QB | MSAFX11P50A | AP18P10GS | SSP65R065SFD3 | SVF2N60N
History: SIS782DN | PE5G6EA | KMB6D0DN30QB | MSAFX11P50A | AP18P10GS | SSP65R065SFD3 | SVF2N60N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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