AMF922NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMF922NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X5-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMF922NE

AMF922NE Datasheet (PDF)

..1. Size:371K analog power
amf922ne.pdf

Analog Power AMF922NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)12 @ VGS = 4.5V14 Low thermal impedance 2014 @ VGS = 2.5V13 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

9.1. Size:171K analog power
amf920ne.pdf

Analog Power AMF920NEDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 22 @ VGS = 4.5V 11battery-powered products

9.2. Size:371K analog power
amf924ne.pdf

Analog Power AMF924NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9.5 @ VGS = 4.5V16 Low thermal impedance 2013 @ VGS = 2.5V13 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

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History: AM6544C | 2SJ554

Liste

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