AMF922NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMF922NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN2X5-6

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AMF922NE datasheet

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AMF922NE

Analog Power AMF922NE N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 12 @ VGS = 4.5V 14 Low thermal impedance 20 14 @ VGS = 2.5V 13 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

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AMF922NE

Analog Power AMF920NE Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 22 @ VGS = 4.5V 11 battery-powered products

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AMF922NE

Analog Power AMF924NE N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9.5 @ VGS = 4.5V 16 Low thermal impedance 20 13 @ VGS = 2.5V 13 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

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