AMR492N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMR492N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMR492N

AMR492N Datasheet (PDF)

..1. Size:315K analog power
amr492n.pdf

Analog Power AMR492NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)140 @ VGS = 10V4.9 Low thermal impedance 150160 @ VGS = 4.5V4.6 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

9.1. Size:315K analog power
amr490n.pdf

Analog Power AMR490NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)150 @ VGS = 10V4.8 Low thermal impedance 150170 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

9.2. Size:317K analog power
amr494n.pdf

Analog Power AMR494NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)160 @ VGS = 10V4.6 Low thermal impedance 150180 @ VGS = 5.5V4.4 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

9.3. Size:315K analog power
amr496n.pdf

Analog Power AMR496NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)65 @ VGS = 10V7.2 Low thermal impedance 15075 @ VGS = 5.5V6.7 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

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History: IPP040N06N3

Liste

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