APL502B2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APL502B2G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 730 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247 TO-264
Búsqueda de reemplazo de APL502B2G MOSFET
APL502B2G Datasheet (PDF)
apl502b2g apl502lg.pdf

APL502B2(G) APL502L(G)500V, 58A, 0.090 *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.LINEAR MOSFET TMT-MaxTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at near DC conditions (>100 msec). D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 Package G Higher Power Dissip
apl502j.pdf

APL502J500V 52A 0.090LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOPD Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageG Higher Power DissipationSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth
apl501j.pdf

DGAPL501J 500V 43.0A 0.12WSISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)POWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APL501J UNITVDSS Drain-Source Voltage500 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C43AmpsIDM, lLM Pulsed Drain C
Otros transistores... AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , TK10A60D , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL .
History: 2N3369
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