APL502B2G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APL502B2G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 730 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO-247 TO-264

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APL502B2G datasheet

 ..1. Size:139K  microsemi
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APL502B2G

APL502B2(G) APL502L(G) 500V, 58A, 0.090 *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. LINEAR MOSFET TM T-Max TO-264 Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at near DC conditions (>100 msec). D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 Package G Higher Power Dissip

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APL502B2G

APL502J 500V 52A 0.090 LINEAR MOSFET Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at near DC conditions (>100 msec). "UL Recognized" ISOTOP D Higher FBSOA Popular SOT-227 Package G Higher Power Dissipation S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless oth

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APL502B2G

D G APL501J 500V 43.0A 0.12W S ISOTOP "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APL501J UNIT VDSS Drain-Source Voltage 500 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 43 Amps IDM, lLM Pulsed Drain C

Otros transistores... AMR494N, AMR496N, AMR860N, AMR930N, AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, 13N50, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL, AUIRF1010ZSTRL, AUIRF1324STRL