AUIRF6218L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AUIRF6218L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 71 nC
   Tiempo de subida (tr): 70 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF6218L

AUIRF6218L Datasheet (PDF)

..1. Size:229K international rectifier
auirf6218l auirf6218s.pdf

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF6218SAUIRF6218LFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS -150Vl P-Channell Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max 150ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingS ID -27Al Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantDl Automotive Qualified *D

6.1. Size:820K international rectifier
auirf6215s.pdf

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF6215SFeatures HEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-Resistance DVDSS -150Vl P-Channell Dynamic dV/dT RatingG RDS(on) max. 0.29l 175C Operating TemperatureSID -13Al Fast Switchingl Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliant Dl Automotive Qualified *DescriptionSSpec

6.2. Size:270K infineon
auirf6215.pdf

PD - 97564AUTOMOTIVE GRADEAUIRF6215Featuresl Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFETl Low On-Resistancel P-Channel DV(BR)DSS-150Vl Dynamic dv/dt RatingRDS(on) max.0.29l 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID-13ASl Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive QualifiedDD

6.3. Size:2157K infineon
auirf6215s.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF6215S HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS -150V Low On-Resistance P-Channel MOSFET RDS(on) max. 0.29 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID -13A Fast Switching Fully Avalanche Rated D Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automo

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Liste

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