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AUIRF7669L2TR1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRF7669L2TR1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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AUIRF7669L2TR1 datasheet

 ..1. Size:243K  international rectifier
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AUIRF7669L2TR1

PD - 97536A AUIRF7669L2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7669L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 3.5m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 4.4m High Power Density ID (Silicon Limited) 114A Low Parasitic Par

 1.1. Size:444K  infineon
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AUIRF7669L2TR1

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7669L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 3.5m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 4.4m High Power Density ID (Silicon Limited) 114A Low Parasitic Parameters Qg (typ

 6.1. Size:326K  international rectifier
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AUIRF7669L2TR1

PD - 96286B AUIRF7665S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low P

 6.2. Size:474K  infineon
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AUIRF7669L2TR1

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low Parasiti

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