AUIRF7736M2TR1 Todos los transistores

 

AUIRF7736M2TR1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRF7736M2TR1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 943 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

 Búsqueda de reemplazo de AUIRF7736M2TR1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AUIRF7736M2TR1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  international rectifier
auirf7736m2tr1.pdf pdf_icon

AUIRF7736M2TR1

PD - 96316BAUIRF7736M2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRF7736M2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.2.5mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.0m High Power DensityID (Silicon Limited)108A Low Parasitic Param

 1.1. Size:439K  infineon
auirf7736m2tr.pdf pdf_icon

AUIRF7736M2TR1

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.5m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.0m High Power Density ID (Silicon Limited) 108A Low Parasitic Parameters Qg (typi

 6.1. Size:291K  international rectifier
auirf7738l2tr.pdf pdf_icon

AUIRF7736M2TR1

PD - 96333AAUIRF7738L2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRF7738L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ.1.2mother Heavy Load Applicationsmax. 1.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited)184A Low Parasitic Parame

 6.2. Size:292K  international rectifier
auirf7737l2tr auirf7737l2tr1.pdf pdf_icon

AUIRF7736M2TR1

PD - 96315CAUIRF7737L2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRF7737L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyV(BR)DSS40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.1.5mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profilemax. 1.9m High Power DensityID (Silicon Limited)156A Low Parasitic Par

Otros transistores... AUIRF7640S2TR , AUIRF7647S2TR1 , AUIRF7648M2TR1 , AUIRF7665S2TR , AUIRF7669L2TR1 , AUIRF7675M2TR , AUIRF7732S2TR , AUIRF7734M2 , IRF520 , AUIRF7737L2TR1 , AUIRF7738L2TR , AUIRF7739L2TR , AUIRF7759L2 , AUIRF7769L2 , AUIRF7799L2 , AUIRF8736M2 , AUIRF8739L2 .

 

 
Back to Top

 


 
.