AUIRF7759L2 Todos los transistores

 

AUIRF7759L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRF7759L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AUIRF7759L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  international rectifier
 auirf7759l2.pdf pdf_icon

AUIRF7759L2

PD - 96426AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7759L2TRAUIRF7759L2TR1 Advanced Process TechnologyAutomotive DirectFET Power MOSFET Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andV(BR)DSS75Vother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low ProfileRDS(on) typ.1.8m High Power Densitymax. 2.3m Low Parasitic Parameters Dual Sided Cooling

 0.1. Size:441K  infineon
 auirf7759l2tr.pdf pdf_icon

AUIRF7759L2

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7759L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 75V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 1.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 2.3m High Power Density ID (Silicon Limited) 160A Low Parasitic Parameters Qg (typi

 7.1. Size:502K  international rectifier
 auirf7749l2tr.pdf pdf_icon

AUIRF7759L2

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7749L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 60V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.1m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 1.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 345A Low Parasitic Parame

 7.2. Size:263K  international rectifier
 auirf7799l2.pdf pdf_icon

AUIRF7759L2

PD - 96421AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7799L2TRAUIRF7799L2TR1Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.32mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profilemax. 38m High Power DensityID (Silicon Limited)35A Low Parasitic Parameters

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