AUIRFSL6535 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AUIRFSL6535 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFSL6535

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: TO-262

Búsqueda de reemplazo de AUIRFSL6535 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AUIRFSL6535 datasheet

..1. Size:266K international rectifier
auirfs6535 auirfsl6535.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS6535 AUIRFSL6535 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Low On-Resistance V(BR)DSS 300V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 148m Fast Switching G max. 185m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 19A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description D Specifically designed

..2. Size:701K infineon
auirfs6535 auirfsl6535.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS6535 AUIRFSL6535 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 300V Low On-Resistance RDS(on) typ. 148m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 185m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 19A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specific

7.1. Size:277K international rectifier
auirfs8403 auirfsl8403.pdf pdf_icon

AUIRFS8403 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL8403 HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology D VDSS 40V l New Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 2.6m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 3.3m l Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S ID (Silicon Limited) 123A Description Specifically desi

7.2. Size:398K international rectifier
auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf pdf_icon

AUIRFB8409 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409 AUIRFSL8409 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) (SMD) typ. 0.97m l Fast Switching max. 1.2m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A l Automotive Qualified * ID (Package Li