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AUIRL7766M2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRL7766M2TR

Código: AUIR7L66

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 44 nC

Tiempo de elevación (tr): 24 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm

Empaquetado / Estuche: DirectFET

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AUIRL7766M2TR Datasheet (PDF)

1.1. auirl7766m2tr.pdf Size:228K _international_rectifier

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PD - 97648 AUIRL7766M2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7766M2TR1 Automotive DirectFET® Power MOSFET ‚ V(BR)DSS 100V • Advanced Process Technology • Optimized for Automotive DC-DC and RDS(on) typ. 8.0mΩ other Heavy Load Applications max. • Logic Level Gate Drive 10mΩ • Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 51A • High Power Density Qg 44nC

3.1. auirl7732s2tr1.pdf Size:216K _international_rectifier

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PD - 97635A AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR1 DirectFET® Power MOSFET ‚ • Logic Level V(BR)DSS 40V • Advanced Process Technology • Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and RDS(on) typ. 5.0mΩ other Heavy Load Applications max. 6.6mΩ • Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) • High Power Density 58A • Low Parasitic Pa

3.2. auirl7736m2tr.pdf Size:230K _international_rectifier

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PD - 97656 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR1 DirectFET® Power MOSFET ‚ • Logic Level V(BR)DSS 40V • Advanced Process Technology • Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and RDS(on) typ. 2.2mΩ other Heavy Load Applications max. 3.0mΩ • Exceptionally Small Footprint and Low Profile • High Power Density ID (Silicon Limited) 112A • Low Parasitic

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