IPF060N03L Todos los transistores

 

IPF060N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPF060N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IPF060N03L datasheet

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IPF060N03L

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

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IPF060N03L

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very lo

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IPF060N03L

IPD06N03LA IPF06N03LA IPS06N03LA IPU06N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 5.7 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Otros transistores... 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , AO3400A , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF .

 

 

 

 

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