FTP03N03N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTP03N03N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTP03N03N

FTP03N03N Datasheet (PDF)

..1. Size:281K inchange semiconductor
ftp03n03n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FTP03N03NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

7.1. Size:278K inpower semi
ftp03n06na.pdf

FTP03N06NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 60V 3m 230A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTP03N06NA TO-220 IPS Absolute Ma

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: