FTP03N03N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTP03N03N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: TO-220
Búsqueda de reemplazo de FTP03N03N MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FTP03N03N datasheet
ftp03n03n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FTP03N03N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ftp03n06na.pdf
FTP03N06NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 60V 3m 230A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTP03N06NA TO-220 IPS Absolute Ma
Otros transistores... FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , IRFZ48N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , IPB027N10N3 , IPB029N06N3 , IPB031NE7N3 , IPB033N10N5LF .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740