SDF85NA50JD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF85NA50JD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 850 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: NA

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SDF85NA50JD datasheet

 5.1. Size:154K  solitron
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SDF85NA50JD

Otros transistores... SDF5N100JAA, SDF5N100JAB, SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, SDF6NA100SXH, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI, IRFZ44, SDF9130JAA, SDF9130JAB, SDF9140, SDF9230JAA, SDF9230JAB, SDF9240, SDF9N100GAF-D, SDF9N100GAF-S