IPU050N03L Todos los transistores

 

IPU050N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPU050N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPU050N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  infineon
 ipd050n03l ipf050n03l ips050n03l ipu050n03l.pdf pdf_icon

IPU050N03L

Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ipu050n03l.pdf pdf_icon

IPU050N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU050N03LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:1000K  infineon
 ipd050n03lg ipf050n03lg ips050n03lg ipu050n03lg ipd050n03l ips050n03l.pdf pdf_icon

IPU050N03L

Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FCH20N60 | VBZE50P03 | IPB60R190C6

 

 
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