IRFS7437 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS7437
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1095 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
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IRFS7437 datasheet
irfs7437pbf irfsl7437pbf.pdf
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irfs7437.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS7437 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S
irfs7437-7ppbf.pdf
StrongIRFET IRFS7437-7PPbF Applications l Brushed Motor drive applications HEXFET Power MOSFET l BLDC Motor drive applications D l PWM Inverterized topologies VDSS 40V l Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.1m l Half-bridge and full-bridge topologies max. 1.4m l Electronic ballast applications G ID (Silicon Limited) 295A l Synchronous rectifier applications l Reso
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