IXFP72N20X3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFP72N20X3M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 72 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 55 nC
   Tiempo de subida (tr): 28 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP72N20X3M

IXFP72N20X3M Datasheet (PDF)

..1. Size:184K ixys
ixfp72n20x3m.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP72N20X3MPower MOSFET ID25 = 72A RDS(on) 20m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDTO-220N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGIsolated TabDSVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VG = Gate D

..2. Size:254K inchange semiconductor
ixfp72n20x3m.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP72N20X3MFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

9.1. Size:159K ixys
ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

9.2. Size:180K ixys
ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: