CJ2302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ2302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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CJ2302 datasheet
cj2302.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2302 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 FEATURE 1. GATE TrenchFET Power MOSFET 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING S2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS
cj2301.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2301 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 FEATURE 1. GATE TrenchFET Power MOSFET 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter MARKING S1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20
cj2307.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2307 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 88m @-10V -30V -2.7A 1. GATE 138m @-4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings ( Ta=25 unless othe
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History: FDS6975
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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