CJ2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ2306
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
CJ2306 Datasheet (PDF)
cj2306.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 CJ2306 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. SOURCE APPLICATIONS 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: S6 Maximum ratings (at TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source voltage VD
cj2306.pdf

CJ2306www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1
cj2301.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2301 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 FEATURE 1. GATE TrenchFET Power MOSFET 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter MARKING: S1Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20
cj2307.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2307 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 88m@-10V-30V-2.7A1. GATE 138m@-4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings ( Ta=25 unless othe
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History: VS4020AP | 2N7075



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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