CJ2307 Todos los transistores

 

CJ2307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ2307
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.138 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJ2307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1210K  jiangsu
 cj2307.pdf pdf_icon

CJ2307

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2307 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 88m@-10V-30V-2.7A1. GATE 138m@-4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings ( Ta=25 unless othe

 9.1. Size:464K  jiangsu
 cj2301.pdf pdf_icon

CJ2307

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2301 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 FEATURE 1. GATE TrenchFET Power MOSFET 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter MARKING: S1Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20

 9.2. Size:680K  jiangsu
 cj2306.pdf pdf_icon

CJ2307

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 CJ2306 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. SOURCE APPLICATIONS 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: S6 Maximum ratings (at TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source voltage VD

 9.3. Size:231K  jiangsu
 cj2302.pdf pdf_icon

CJ2307

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2302 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 FEATURE 1. GATE TrenchFET Power MOSFET 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: S2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.