CJ2312 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ2312  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0318 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CJ2312 datasheet

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CJ2312

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2312 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switching for Portable Applications 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING S12 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Volt

 ..2. Size:1747K  cn vbsemi
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CJ2312

CJ2312 www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC Co

 9.1. Size:1190K  jiangsu
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CJ2312

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2310 N-Channel MOSFET ID SOT-23 V(BR)DSS RDS(on)MAX 105m @10V 60 V 3A 1. GATE 125m @4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN DESCRIPTION The CJ2310 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltage as low as 2.5V. This device is s

Otros transistores... CJ2302, CJ2302S, CJ2303, CJ2304, CJ2305, CJ2306, CJ2307, CJ2310, IRFZ44N, CJ2321, CJ2333, CJ3134K, CJ3134KW, CJ3139K, CJ3139KW, CJ3400, CJ3400A