CJ2321 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ2321  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CJ2321 datasheet

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CJ2321

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2321 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 57m @-4.5V -20V 76m @-2.5V -2.9A 1. GATE 110m @-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE PA Switch TrenchFET Power MOSFET Load Switch MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings (Ta=25 unl

 9.1. Size:1092K  jiangsu
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CJ2321

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ2324 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m @10V 100V 267m @6V 2A 1. GATE 278m @4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs

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