CJ2321 Todos los transistores

 

CJ2321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ2321
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJ2321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  jiangsu
 cj2321.pdf pdf_icon

CJ2321

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2321 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 57m@-4.5V-20V 76m@-2.5V-2.9A1. GATE 110m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE PA Switch TrenchFET Power MOSFET Load Switch MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings (Ta=25 unl

 9.1. Size:1092K  jiangsu
 cj2324.pdf pdf_icon

CJ2321

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ2324 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m@10V100V 267m@6V2A1. GATE 278m@4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs

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History: SIHFBC30S | CTM09N20 | NVTFS002N04CL | SST65R280S2E | FDMS86180 | SUD80460E | LPL4459

 

 
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