CJ8810 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ8810 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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CJ8810 datasheet
cj8810.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8810 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 V m @10 26 @4.5V 27m m @3.8V 30 7 A 20V @2.5V 33 m 45m @1.8V 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN APPLICATION FEATURE Surface Mount Package Load/ Power Switching Low R (on) DS Small Portable Electronics
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History: SLF20N50C | SVF740CT
🌐 : EN ES РУ
Liste
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