CJ8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ8810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
CJ8810 Datasheet (PDF)
cj8810.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8810 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 Vm @1026@4.5V27m m@3.8V30 7A20V@2.5V 33m45m @1.8V1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN APPLICATION FEATURE Surface Mount Package Load/ Power Switching Low R (on) DS Small Portable Electronics
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AP4417GJ | SW4N80B | IPAW60R280P7S | HM10N60F | STH8NA80FI | AP4506GEM | BUK7Y12-100E
History: AP4417GJ | SW4N80B | IPAW60R280P7S | HM10N60F | STH8NA80FI | AP4506GEM | BUK7Y12-100E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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