CJ8810 Todos los transistores

 

CJ8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJ8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1368K  jiangsu
cj8810.pdf pdf_icon

CJ8810

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8810 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 Vm @1026@4.5V27m m@3.8V30 7A20V@2.5V 33m45m @1.8V1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN APPLICATION FEATURE Surface Mount Package Load/ Power Switching Low R (on) DS Small Portable Electronics

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP4417GJ | SW4N80B | IPAW60R280P7S | HM10N60F | STH8NA80FI | AP4506GEM | BUK7Y12-100E

 

 
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