CJA03N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJA03N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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CJA03N10 datasheet

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CJA03N10

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V 3A 140m @ 10V 1. GATE 2. DRAIN DESCRIPTION 3. SOURCE The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of

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CJA03N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10S N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V 3A 140m @ 10V DESCRIPTION 1. GATE The CJA03N10S uses advanced trench technology and design to 2. DRAIN provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for 3. SOURCE use in a wide variety of app

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CJA03N10

MOSFET CJA03N10-HF N-Channel RoHS Device Halogen Free 1 Gate SOT-89-3L Features 2 Drain 3 Source 0.181(4.60) -Special process technology for high ESD capability. 0.173(4.40) 0.061(1.55) -High density cell design for extremely low RDS(ON). REF. -Good stability and uniformity with high EAS. 0.102(2.60) 0.167(4.25) -Excellent package for good heat dissipation. 0.091(2.3

Otros transistores... CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, CJ4153, CJ502K, CJ8810, CJ8820, 8205A, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A