CJD01N65B Todos los transistores

 

CJD01N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJD01N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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CJD01N65B Datasheet (PDF)

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CJD01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD01N65B N-Channel Power MOSFET TO-251-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 7.1. Size:289K  jiangsu
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CJD01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD01N60 N-Channel Power MOSFET TO-251-3L General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed 1. GATE 2. DRAIN to withsta

 8.1. Size:374K  jiangsu
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CJD01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD01N80 N-Channel Power MOSFET TO-251-3L GENERAL DESCRIPTION The CJD01N80 is an N-channel mode power MOSFET using advanced technology to provide costomers with planar stripe. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also

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History: PHB20N06T

 

 
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